MT41K1G8TRF-125 IT:E
8Gb X4/X8 Twin Die DDR3L SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41K1G8TRF-125 IT:E
- 商品编号
- C20516913
- 商品封装
- 78-FBGA (9.5x11.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 36mA | |
| 刷新电流 | 40mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
8Gb（TwinDie™）DDR3L SDRAM（1.35V）采用美光的4Gb DDR3L SDRAM芯片（本质上是两个4Gb DDR3L SDRAM芯片组）。未包含在本文档中的规格，请参考美光的4Gb DDR3 SDRAM数据手册。基础部件编号MT41K1G4的规格与TwinDie制造部件编号MT41K2G4相关；基础部件编号MT41K512M8的规格与TwinDie制造部件编号MT41K1G8相关。TwinDie DDR3L SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，内部配置为两个8存储体DDR3L SDRAM设备。尽管双芯片封装内的每个芯片都单独进行测试，但一些TwinDie测试结果可能与单片封装内相同芯片的测试结果有所不同。DDR3L SDRAM采用双倍数据速率架构以实现高速运行。双倍数据速率架构是一种8n预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。对DDR3L SDRAM的读写访问是面向突发的。访问从选定位置开始，并按编程顺序持续到编程数量的位置。访问从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行。与读或写命令同时注册的地址位（包括CSn#、BAn和An）用于选择突发访问的芯片组、存储体和起始列位置。本数据手册提供了一般描述、封装尺寸和封装说明。有关单个芯片初始化、寄存器定义、命令描述和芯片操作的完整信息，请参考美光单片DDR3L数据手册。
商品特性
- 使用4Gb美光芯片
- 两个芯片组（包括双CS#、ODT、CKE和ZQ引脚）
- 每个芯片组有八个内部存储体，可并发操作
- VDD = VDDQ = 1.35V（1.283 - 1.45V）；向后兼容VDD = VDDO = 1.5V ± 0.075V
- 1.35V中心端接推挽式I/O
- JEDEC标准引脚布局
- 薄型封装
- TC为0°C至95°C
- 0°C至85°C：64ms内8192次刷新周期
- 85°C至95°C：32ms内8192次刷新周期
- 提供工业温度（IT）版本（版本E）
- 时序 - 周期时间：1.071ns @ CL = 13（DDR3L - 1866） - 107；1.25ns @ CL = 11（DDR3L - 1600） - 125；1.5ns @ CL = 9（DDR3L - 1333） - 15E；1.87ns @ CL = 7（DDR3L - 1066） - 187E
- 自刷新
- 标准：无
- 工作温度：商业级（0°C ≤ TC ≤ 95°C）无；工业级（-40°C ≤ TC ≤ 95°C）版本E IT