商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
商品概述
GTVA123501FA是一款适用于1200至1400 MHz频段的350瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。它具有输入匹配、高效率的特点,并采用了带无耳法兰的热增强型表面贴装封装。
商品特性
-碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管技术-宽带内部输入匹配-无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电动汽车充电-服务器电源-太阳能光伏逆变器-不间断电源(UPS)-DC/DC转换器