商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 7.5mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
商品概述
GTVA261701FA是一款170瓦(P3dB)的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)D模式放大器,适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率和带无耳法兰的散热增强型封装等特点。
商品特性
- 碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术
- 输入匹配
- 典型连续波(CW)性能,2690 MHz,48 V,单边 - P3dB输出功率 = 170 W
- 效率 = 75%
- 增益 = 15 dB
- 人体模型,1B类(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 在48 V、40 W(连续波)输出功率下可承受10:1的电压驻波比(VSWR)
- 符合RoHS标准