GTVA311801FA-V1-R250

GTVA311801FA是一款180瓦的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于2700至3100 MHz频段。它具有输入匹配、高效率的特点,并采用了无耳凸缘的热增强型封装。

• 碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术
• 宽带内部输入匹配
• 3dB压缩点输出功率(P3dB)= 180 W
• 漏极效率 = 65%
• 增益(P3dB)= 15.5 dB
• 在50 V、150 W连续波输出功率下,可承受10:1的电压驻波比(VSWR)
• 人体模型静电敏感度等级为1B级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
• 无铅且符合RoHS标准