PTVA120501EA-V1-R0

PTVA120501EA LDMOS场效应晶体管专为1200至1400 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用先进的LDMOS工艺制造,具有出色的热性能和卓越的可靠性。

• 宽带输入匹配
• 高增益和高效率
• P1dB输出功率 = 54 W
• 效率 = 55%
• 增益 = 16 dB
• 集成ESD保护
• 低热阻
• 无铅且符合RoHS标准
• 在射频脉冲(300 μS,占空比10%)、50 W峰值功率下,能够承受10:1的负载失配(所有相位角)。

• 电机控制
• 电动汽车电池充电器
• 高压直流-直流（DC/DC）转换器