PTVA035002EV-V1-R250
PTVA035002EV-V1-R250
- 品牌名称
- WOLFSPEED
- 商品型号
- PTVA035002EV-V1-R250
- 商品编号
- C20486679
- 商品封装
- H-36275-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 105V |
商品概述
TP65H070G4LSGB 650V、72mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。 第四代超级GaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了制造工艺，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 输入输出无需匹配
- 高增益和高效率
- 集成ESD保护
- 人体模型2级(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准
- 在脉冲条件下(脉冲宽度12μs,占空比10%),能承受57 dBm功率下13:1的负载失配
应用领域
- 数据通信-广泛的工业应用-光伏逆变器-伺服电机-消费电子-计算机