PTVA127002EV-V1-R0

PTVA127002EV 横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)专为 1200 至 1400 MHz 频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用先进的 LDMOS 工艺制造,具备出色的热性能和卓越的可靠性。

• 宽带输入和输出匹配
• 高增益和高效率
• 集成静电放电(ESD)保护
• 人体模型 2 级(符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001 标准)
• 低热阻
• 出色的耐用性
• 无铅且符合 RoHS 标准
• 在射频脉冲(300 μS,占空比 10%)、700 W 峰值功率下,能够承受 10:1 的负载失配(所有相位角)。