MT41J256M16HA-093G:E TR
4Gb:x16 DDR3 SDRAM 减少 tFAW 附录
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41J256M16HA-093G:E TR
- 商品编号
- C20462213
- 商品封装
- 96-FBGA (9x14)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.066GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.425V~1.575V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;动态片上端接 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 1.5V中心端接推挽式I/O
- 差分双向数据选通
- 8n位预取架构
- 差分时钟输入(CK、CK#)
- 8个内部存储体
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端(ODT)
- 可编程CAS读取延迟(CL)
- 后置CAS附加延迟(AL)
- 基于tCK的可编程CAS写入延迟(CWL)
- 固定突发长度(BL)为8,突发截断(BC)为4(通过模式寄存器组[MRS])
- 可动态选择BC4或BL8
- 自刷新模式
- TC范围为0°C至95°C
- 在0°C至85°C时,64ms内进行8192次刷新
- 在85°C至95°C时,32ms内进行8192次刷新
- 自刷新温度(SRT)
- 写入电平调整
- 多功能寄存器
- 输出驱动器校准
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- 91H2-15-09-2-Z-HE200
- RC1/4100JB
- ACC08R32-15S-003-B30-LC
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- B-106-1601CS100
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- FCQ38999/24JH53SCMIL-STD-461

