MT47H256M4B7-5E:A TR
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H256M4B7-5E:A TR
- 商品编号
- C20462269
- 商品封装
- 92-FBGA (11x19)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 输出使能；自动预充电功能；动态片上端接 |
商品特性
- 符合RoHS标准
- VDD = +1.8V ± 0.1V，VDDQ = +1.8V ± 0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O（兼容SSTL_18）
- 差分数据选通（DQS、DQS#）选项
- 4位预取架构
- x8有重复输出选通（RDQS）选项
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 8个内部存储体用于并发操作
- 可编程CAS潜伏期（CL）
- 后置CAS附加潜伏期（AL）
- 写潜伏期 = 读潜伏期 - 1个时钟周期
- 可编程突发长度：4或8
- 可调节数据输出驱动强度
- 64ms，8192周期刷新
- 片上终端（ODT）
- 工业温度（IT）选项
- 支持JEDEC时钟抖动规范
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