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MT41J256M16HA-107:E TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT41J256M16HA-107:E TR

4Gb:x16 DDR3 SDRAM 减少 tFAW 附录

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT41J256M16HA-107:E TR
商品编号
C20463264
商品封装
96-FBGA (9x14)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)DDR3 SDRAM
时钟频率(fc)933MHz
存储容量4Gbit
工作电压1.425V~1.575V
属性参数值
工作电流-
刷新电流-
工作温度0℃~+95℃
功能特性写入均衡功能;动态片上端接

商品特性

  • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 1.5V中心端接推挽式I/O
  • 差分双向数据选通
  • 8n位预取架构
  • 差分时钟输入(CK、CK#)
  • 8个内部存储体
  • 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端(ODT)
  • 可编程CAS读取延迟(CL)
  • 后置CAS附加延迟(AL)
  • 基于tCK的可编程CAS写入延迟(CWL)
  • 固定突发长度(BL)为8,突发截断(BC)为4(通过模式寄存器组[MRS])
  • 可动态选择BC4或BL8
  • 自刷新模式
  • TC范围为0°C至95°C
  • 在0°C至85°C时,64ms内进行8192次刷新
  • 在85°C至95°C时,32ms内进行8192次刷新
  • 自刷新温度(SRT)
  • 写入电平调整
  • 多功能寄存器
  • 输出驱动器校准

数据手册PDF