- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A256M16GE-075E:B
4Gb: X4, x8, X16 DDR4 SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A256M16GE-075E:B
- 商品编号
- C20463716
- 商品封装
- 96-FBGA (9x14)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.33GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.14V~1.26V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV / +250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 工作温度范围为0°C ~ 95°C
- 在0°C ~ 85°C时，64ms内进行8192次刷新
- 在85°C ~ 95°C时，32ms内进行刷新
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写和读电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、停放和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反转（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址
- 连接性测试（x16）
- 封装后修复（PPR）和软封装后修复（sPPR）模式
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- MT41J256M16HA-093:E TR
- FCQ38999/20FH53SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24MF28SBMIL-STD-461
- MKS4D032202B00KA00
- RC1/4512JTD
- RC1/2821JTB
- GTC06A28-20PX-025-LC
- GTC030F32-13SX-RDS-LC
- ACC00R16S-1PW-025-LC
- 1308655
- 6766087-1
- ACC02A20-21RZ-003-LC
- GTC030LCF32-6PX-025-LC
- FCQ38999/24JJ8BEMIL-STD-461
- GTC08F18-22SX-B30-LC
- ACC01R24-20P-025-LC
- 503 SI/ 5 E
- A/AN-BC-S-4X
- ACC05A16-7RX-003-LC
- GTC06A16S-4SZ-025-B30-LC
- FCQ38999/20ZG41PCMIL-STD-461