- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT47H256M4B7-5E:A
1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
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- 描述
- 1Gb DDR2 SDRAM 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，内部配置为 8 bank DRAM。它使用双数据速率架构实现高速操作，接口设计每时钟周期在 I/O 引脚传输两个数据字。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H256M4B7-5E:A
- 商品编号
- C20461173
- 商品封装
- 92-FBGA (11x19)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 输出使能；自动预充电功能；动态片上端接 |
商品特性
- 符合RoHS标准
- VDD = +1.8V ± 0.1V，VDDQ = +1.8V ± 0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O（兼容SSTL_18）
- 差分数据选通（DQS、DQS#）选项
- 4位预取架构
- x8有重复输出选通（RDQS）选项
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 8个内部存储体用于并发操作
- 可编程CAS潜伏期（CL）
- 后置CAS附加潜伏期（AL）
- 写潜伏期 = 读潜伏期 - 1个时钟周期
- 可编程突发长度：4或8
- 可调节数据输出驱动强度
- 64ms，8192周期刷新
- 片上终端（ODT）
- 工业温度（IT）选项
- 支持JEDEC时钟抖动规范
- MT41J256M16HA-107:E
- MT41K256M16HA-107 IT:E TR
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- MT41K256M16HA-125 M AIT:E
- MT41K256M16HA-107:E TR
- MT47H64M16HR-3 IT:G
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- MT47H32M16HR-25E L:G
- MT41J256M16HA-107:E TR
- MT47H64M16HR-3 L:G TR
- MT41J256M16HA-093:E
- GTC030-24-AJPZ-023-B30-LC
- FCQ38999/20LB2AEMIL-STD-461
- MT47H32M16NF-25E AUT:H
- ACC08A32-76PY-003-B30-LC
- 2286546-1
- GTC030LCF32-1SW-025-B30-LC
- FCQ38999/24ZD19SBMIL-STD-461
- FCQ38999/20LG11SBMIL-STD-461
- AFY800480B0-5.0N12NTM-C
- FCQ38999/20KG35PBMIL-STD-461
- GTC08-14S-13S-B30-LC
- FCQ38999/20TJ20PCMIL-STD-461
- FCQ38999/24MH6SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ7ANMIL-STD-461
- FCQ38999/20SD19PCMIL-STD-461
- RC1/4221JB
- 6126-201-19223
- 6450541-3
- GTC02R20-4SY-RDS-LC
- RC1/4301JB
- 1616463-5