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MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR

200b:x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR
商品编号
C20450075
商品封装
200-TFBGA (10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量16Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流10mA；20mA
刷新电流500uA
工作温度-40℃~+105℃
功能特性写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

商品特性

  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
  • VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V 或低 VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V
  • 超低电压核心和输入/输出电源
  • 频率范围 2133–10 MHz（每引脚数据速率范围：4266–20 Mb/s）
  • 16n预取DDR架构
  • 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
  • 单数据率CMD/ADR输入
  • 每个字节通道双向/差分数据选通
  • 可编程读取和写入延迟
  • 可编程和动态突发长度
  • 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
  • 每芯片最高8.5 GB/s
  • 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新
  • 可选输出驱动强度
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准的“绿色”封装
  • 可编程VSS端接
  • 支持单端时钟和数据选通
  • 改进的tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
  • 符合AEC-Q100标准
  • 阵列配置
  • 封装内包含1个芯片
  • 封装内包含2个芯片
  • 封装内包含4个芯片
  • 200引脚VFBGA封装
  • 200引脚TFBGA封装
  • 200引脚TFBGA封装
  • 速度等级，周期时间 468ps @ RL = 36/40 -046
  • 特殊选项
  • 汽车等级
  • 工作温度范围 -40℃ 至 +95℃
  • 工作温度范围 -40℃ 至 +105℃
  • 工作温度范围 -40℃ 至 +125℃

数据手册PDF

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