IS43TR16128A-125KBLI

本文详细介绍了256Mx8、128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM的相关信息。包括其特性，如标准电压、低电压、高速数据传输速率、8个内部存储体、8n位预取架构、可编程CAS延迟等；还说明了不同配置、封装、刷新间隔等选项；阐述了DDR3封装引脚布局、功能描述，如复位和初始化过程，包括上电初始化序列的具体步骤和要求等。

• 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V， - 0.067V，向后兼容1.5V
• 高速数据传输速率，系统频率高达933MHz
• 8个内部存储体用于并发操作
• 8n位预取架构
• 可编程CAS延迟
• 可编程附加延迟：0，CL - 1，CL - 2
• 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
• 可编程突发长度：4和8
• 可编程突发序列：顺序或交错
• 突发长度动态切换
• 自动自刷新（ASR）
• 自刷新温度（SRT）
• 配置：256Mx8、128Mx16
• 封装：x16为96球FBGA（9mm x 13mm），x8为78球FBGA（8mm x 10.5mm）
• 刷新间隔：7.8μs（8192周期/64ms），Tc = - 40°C至85°C；3.9μs（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C
• 部分阵列自刷新
• 异步复位引脚
• 支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
• OCD（片外驱动器阻抗调整）
• 动态ODT（片内终结）
• 驱动器强度：RZQ/7，RZQ/6（RZQ = 240Ω）
• 写电平校准
• DLL关闭模式下高达200MHz
• 工作温度：商业级（Tc = 0°C至 + 95°C）；工业级（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车级，A1（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车级，A2（Tc = - 40°C至 + 105°C）