IS43QR16256A-083RBLI

256Mbx16 4Gb DDR4 SDRAM

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS43QR16256A-083RBLI
商品编号: C20426365
商品封装: 96-TWBGA (9x13)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；输出使能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部由8个存储体（2个存储体组，每个组有4个存储体）组成。它采用8n预取架构实现高速操作，该架构与接口相结合，可在I/O引脚每个时钟周期传输两个数据字。对DDR4 SDRAM的读写操作是突发式的，从选定位置开始，按编程顺序进行8个突发长度或4个“截断”突发的操作。操作始于激活命令的注册，随后是读或写命令。在正常操作之前，DDR4 SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。

商品特性

标准电压：VDD = VDDQ = 1.2V，VPP = 2.5V
高速数据传输率，系统频率高达2400 Mbps
自动自刷新（ASR），由DRAM内置TS实现
自动刷新和自刷新模式
分离的IO门控结构，按存储体组划分
自刷新中止
精细粒度刷新
通过MR设置进行写电平校准
通过MPR进行读电平校准
数据总线写CRC校验
MPR读出
边界扫描
速度等级（CL - TRCD - TRP）：2133Mbps / 15 - 15 - 15 (-093P)；2400Mbps / 16 - 16 - 16 (-083R)
内部VREFDQ训练
读前导训练
降速模式
每个DRAM可寻址性
可配置的驱动强度以实现系统兼容性
可配置的片上端接
数据总线反相（DBI）
通过外部ZQ焊盘（240欧姆 ± 1%）进行ZQ校准以确保驱动强度/片上端接阻抗精度
带VDDQ端接的POD
命令/地址延迟（CAL）
最大节能
低功耗自动自刷新（LPASR）
工作温度：商业级（Tc = 0°C至 + 95°C）；工业级（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车A1级（Tc = - 40°C至 + 95°C）；汽车A2级（Tc = - 40°C至 + 105°C）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.2GHz
	存储容量	4Gbit
	工作电压	1.14V~1.26V