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BUK763R4-30B-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源逆变、汽车电子和工业电源等需要高功率和高性能的应用场合。TO263；N—Channel沟道,30V；150A；RDS(ON)=2.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK763R4-30B-VB
- 商品编号
- C20417597
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |