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SIR416DP-T1-GE3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，适用于高性能电路控制和高电流应用的高性能MOSFET产品。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIR416DP-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C20417613
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门
- 服务器
- DC/DC