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IRF9520PBF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效晶体管，采用Trench技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源控制和开关应用。TO220；P—Channel沟道,-100V；-18A；RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9520PBF-VB
- 商品编号
- C20417604
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 178mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-电源开关-大电流应用中的负载开关-DC/DC转换器