AS4C128M16MD4V-062BAN

Alliance LPDDR4X SDRAM 每个器件可配置为 1 或 2 个通道，每个通道有 8 个存储体和 16 位数据位宽。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行，本质上是 16n 预取架构，其接口设计为在 I/O 引脚每个时钟周期传输两个数据字。该产品提供基于时钟上升沿和下降沿的全同步操作。数据路径采用内部流水线和 16n 位预取以实现非常高的带宽。

• 配置：
  • 每个器件 2 通道时为 x32（AS4C256M32MD4V）
  • 每个器件 1 通道时为 x16（AS4C128M16MD4V/AS4C256M16MD4V）
  • 每个通道有 8 个内部存储体
• 片上 ECC：
  • 单比特错误纠正（每 64 位），可最大程度提高可靠性
  • 每个通道可选的 ERR 输出信号，指示 ECC 事件发生
  • ECC 寄存器，用于控制 ECC 功能
• 低电压核心和 I/O 电源：
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V，VDDQ = 0.57 - 0.65 V，VDD1 = 1.70 - 1.95 V
• LVSTL（低电压摆幅终端逻辑）I/O 接口
  • 内部 VREF 和 VREF 训练
• 动态 ODT：
  • DQ ODT：VSSQ 终端
  • CA ODT：VSS 终端
• 可选输出驱动强度（DS）
• 最大时钟频率：1.6GHz（单通道 3.2Gbps）
• 16 位预取 DDR 数据总线
• 单数据速率（多周期）命令/地址总线
• 每个数据字节的双向/差分数据选通（DQS，DQS（上划线））
• DMI 引脚支持写数据屏蔽和 DBI 功能
• 可编程的读和写延迟（RL/WL）
• 可编程和动态突发长度（BL = 16、32）
• 支持非目标 DRAM ODT 控制
• 每个存储体定向刷新，实现并发存储体操作并便于命令调度
• ZQ 校准
• 工作温度：
  • 汽车 A2 级（TC = -40°C ~ 105°C）
• 片上温度传感器控制自刷新速率
• 片上温度传感器状态可从 MR4 读取
• 200 球 x16/x32 分立封装（0.80mm x 0.65mm）
• 符合 RoHS 标准的“绿色”封装