AS4C8M16MSB-6BIN

AS4C8M16MSB是高性能CMOS动态随机存取存储器（DRAM），组织形式为8M x 16。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制，并且在每个时钟周期都可以进行I/O事务处理。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使同一器件可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。

这款128Mb的SDRAM是四存储体DRAM，工作电压为1.8V，包含一个同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正边沿进行寄存）。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程的顺序在编程的位置数量上继续进行。访问从ACTIVE命令的寄存开始，随后是READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0和BA1选择存储体，A0 - A11选择行）。与READ或WRITE命令同时寄存的地址位（A0 - A8）用于选择突发访问的起始列位置。

在正常操作之前，SDRAM必须进行初始化。SDRAM必须以预定义的方式上电和初始化。除指定的操作程序外，其他操作程序可能导致未定义的操作。电源应同时施加到VDD和VDDQ。一旦电源施加到VDD和VDDQ，并且时钟稳定（稳定时钟定义为在时钟引脚指定的时序约束内循环的信号），SDRAM在发出除DESELECT或NOP之外的任何命令之前需要200μs的延迟。在这200μs期间的某个时间点开始并至少持续到该时间段结束，应施加DESELECT或NOP命令。

一旦满足200μs的延迟并且至少施加了一个DESELECT或NOP命令，就应施加PRECHARGE命令。然后必须对所有存储体进行预充电，从而使器件处于所有存储体空闲状态。

一旦处于空闲状态，必须执行两个AUTO REFRESH周期。AUTO REFRESH周期完成后，SDRAM即可进行模式寄存器编程。由于模式寄存器在上电时处于未知状态，因此在施加任何操作命令之前应进行加载。

为了实现低功耗，移动组件中有两个模式寄存器，即模式寄存器和扩展模式寄存器。模式寄存器定义了SDRAM的具体操作模式，包括突发长度、突发类型、CAS延迟、操作模式和写突发模式。模式寄存器通过LOAD MODE REGISTER命令进行编程，并将保留存储的信息，直到再次编程或器件断电。

模式寄存器位A0 - A2指定突发长度，A3指定突发类型（顺序或交错），A4 - A6指定CAS延迟，A7和A8指定操作模式，A9指定写突发模式。A10 - A11应设置为零。BA0和BA1应设置为零以防止扩展模式寄存器。

模式寄存器必须在所有存储体空闲时加载，并且控制器在启动后续操作之前必须等待指定的时间。违反这些要求中的任何一项都将导致未指定的操作。

• 电源电压VDD/VDDQ = 1.7 ~ 1.95V
• 数据宽度：x16
• 时钟频率：166MHz
• 部分阵列自刷新（PASR）
• 自动温度补偿自刷新（ATCSR）
• 掉电模式
• 深度掉电模式（DPD模式）
• 可编程输出缓冲驱动器强度
• 四个内部存储体用于并发操作
• 空闲期间时钟停止功能
• 每次突发访问的自动预充电选项
• 突发读取单比特写入操作
• CAS延迟：2和3
• 突发长度：1、2、4、8和整页
• 突发类型：顺序或交错
• 刷新周期：64ms
• 接口：LVCmos
• 工作温度范围：工业级（-40°C 到 +85°C）