AS4C512M32MD4V-053BIN

8Gb、16Gb LPDDR4x SDRAM

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品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C512M32MD4V-053BIN
商品编号: C20348761
商品封装: BGA-200(15x10)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动重置；自动刷新；高速时钟同步

商品概述

LPDDR4X - SDRAM是一种高速同步DRAM设备，内部配置为1个或2个通道。单通道由8个存储体组成，每通道密度从1Gb到16Gb。每个通道由8个存储体组成，每通道密度从2Gb到16Gb。该设备包含以下位数：8Gb有8,589,934,592位，16Gb有17,179,869,184位。 LPDDR4X设备在命令/地址（CA）总线上使用2或4个时钟架构，以减少系统中的输入引脚数量。6位CA总线包含命令、地址和存储体信息。每个命令使用1、2或4个时钟周期，在此期间，命令信息在时钟的上升沿传输。详情请参阅命令真值表。这些设备在DQ引脚上使用双倍数据速率架构以实现高速操作。双倍数据速率架构本质上是一种16n预取架构，其接口设计为在I/O引脚每个时钟周期每个DQ传输两个数据位。对LPDDR4X SDRAM的单次读或写访问实际上包括在内部DRAM核心进行一次16n位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在I/O引脚进行八次相应的n位宽、半个时钟周期的数据传输。对LPDDR4X SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序持续访问编程数量的位置。访问从激活命令的注册开始，随后是读、写或掩码写命令。与激活命令同时注册的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。与读、写或掩码写命令同时注册的地址位用于选择存储体和突发访问的起始列位置。在正常操作之前，必须对LPDDR4X SDRAM进行初始化。以下部分提供了有关设备初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。

商品特性

双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
双向数据选通信号（DQS_t、DQS_c），这些信号与数据一起发送/接收，用于在接收器处捕获数据
差分时钟输入（CK_t和CK_c）
差分数据选通信号（DQS_t和DQS_c）
命令和地址在时钟正边沿输入；数据和数据掩码参考DQS的两个边沿
每个通道有8个内部存储体
DMI引脚：正常读写操作时为DBI（数据总线反相）；DBI关闭时，掩码写操作为数据掩码（DM）；DBI开启时，掩码写操作对DQ的1进行计数
突发长度：16、32（OTF）
突发类型：顺序
读写延迟：参考LPDDR4x交流时序表
每次突发访问的自动预充电选项
可配置驱动强度
刷新和自刷新模式
部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
写电平调整
CA校准
内部VREF和VREF训练
基于FIFO的写/读训练
MPC（多功能命令）
LVSTLE（低电压摆幅终端逻辑扩展）IO
VDD1/VDD2/VDDQ：1.8V/1.1V/0.6V
VSSQ终端
无DLL：CK与DQS不同步
边缘对齐的数据输出，数据输入中心对齐的写训练
刷新速率：3.9us
8Gb = 64M × 16DQ × 8存储体 × 1通道
16Gb = 64M × 16DQ × 8存储体 × 2通道

数据手册PDF

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