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AS4C16M16MSB-6BIN

256M(16M x 16) 低功耗SDRAM

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品牌名称: Alliance Memory
商品型号: AS4C16M16MSB-6BIN
商品编号: C20348755
商品封装: FBGA-54(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.336克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~1.95V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

AS4C16M16MSB是高性能CMOS动态随机存取存储器（DRAM），组织形式为16M x 16。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制，并且每个时钟周期都可以进行I/O事务处理。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟使同一器件可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。

256Mb SDRAM是四组DRAM，工作电压为1.8V，包括一个同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存）。

对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程顺序连续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，随后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的组和行（BA0和BA1选择组，A0 - A12选择行）。与读或写命令同时寄存的地址位（A0 - A8）用于选择突发访问的起始列位置。

在正常操作之前，SDRAM必须进行初始化。以下部分提供了有关设备初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的详细信息。

商品特性

电源电压VDD/VDDQ = 1.7 ~ 1.95V
数据宽度：x16
时钟速率：166MHz
部分阵列自刷新（PASR）
自动温度补偿自刷新（ATCSR）
掉电模式
深度掉电模式（DPD模式）
可编程输出缓冲驱动器强度
四个内部组用于并发操作
空闲期间时钟停止功能
每次突发访问的自动预充电选项
突发读单比特写操作
CAS延迟：2和3
突发长度：1、2、4、8和整页
突发类型：顺序或交错
刷新周期：64ms
接口：LVCmos
工作温度范围：工业级（-40°C 到 +85°C）

数据手册PDF

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