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TPS54061DRBT实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPS54061DRBT

60V、200mA同步降压DC-DC转换器

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描述
TPS54061是一款60V、200mA同步降压DC-DC转换器,集成有高侧和低侧MOSFET。具有90uA运行静态电流,1.4uA关断电源电流,可调节开关频率范围50kHz至1100kHz,支持同步至外部时钟,内部软启动,逐周期电流限制、过热、过压保护等功能。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPS54061DRBT
商品编号
C2070655
商品封装
SON-8-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.058克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压4.7V~60V
输出电压800mV~58V
输出电流200mA
开关频率1.1MHz
工作温度-40℃~+150℃@(TJ)
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)90uA
开关管(内置/外置)内置
输出类型可调

商品概述

TPS54061 器件是一款 60V、200mA 同步降压 DC-DC 转换器,集成有高侧和低侧 MOSFET。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。非开关电源电流为 90μA。使用使能引脚可将关断电源电流减少至 1.4μA。 为提高轻负载条件下的效率,低侧 MOSFET 会在电感电流达到 0 时充当二极管。 欠压闭锁内部设定为 4.5V,但可采用两个使能引脚上的电阻器将其提高。输出电压启动斜坡由内部缓启动时间控制。 可调节开关频率范围可实现高效率和外部组件尺寸优化。频率折返和热关断功能在过载情况下保护部件。 TPS54061 集成有 MOSFET 和引导再充电二极管,并且采用小型 3.00mm×3.00mm 散热增强型 VSON 封装最大限度减小了 IC 封装尺寸,从而实现了小型设计。

商品特性

  • 集成高侧和低侧金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)用于提升轻负载效率的二极管仿真峰值电流模式控制
  • 90μA 运行静态电流,1.4μA 关断电源电流
  • 可调节开关频率范围:50kHz 至 1100kHz
  • 同步至外部时钟
  • 内部软启动
  • 0.8V±1% 电压基准
  • 与陶瓷输出电容器或者低成本铝制电解电容器一起工作时保持稳定
  • 逐周期电流限制、过热、过压保护(OVP) 和频率折返保护
  • 带散热焊盘的 3mm×3mm VSON - 8 封装
  • 工作结温范围: -40°C 至 150°C

应用领域

  • 4mA 至 20mA 电流回路供电传感器
  • 低功率待机电压或者偏置电压电源
  • 工业过程控制、计量、和安全系统
  • 高压线性稳压器的高效替代产品

优惠活动

购买数量

(250个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个250个/圆盘

总价金额:

0.00

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