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G9435S
无 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-30V@@连续漏极电流(Id)：-5.1A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：35mΩ@10V 50mΩ@4.5V @@封装：SOP-8
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G9435S
- 商品编号
- C20278492
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@4.5V；48mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为616 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具备出色的热稳定性
- 较低的输出电容，可提升Doherty应用的性能
- 低记忆效应设计，具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于616 MHz至960 MHz频率范围基站和多载波应用的射频功率放大器
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