GD5F2GM7UEYIGY

SPI-NAND闪存

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品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD5F2GM7UEYIGY
商品编号: C20278510
商品封装: WSON-8(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.724克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	3ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	50uA
	擦写寿命	5万次
	功能特性	坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；电源锁定保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能

商品概述

SPI（串行外设接口）NAND闪存为嵌入式系统提供了一种高成本效益且高密度的非易失性存储器存储解决方案，基于行业标准的NAND闪存核心。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的替代品，具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND。密度为2Gb。比并行NAND成本降低。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且在不同密度之间始终保持相同的引脚排列。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加新特性。SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存，具有专门设计的功能以简化主机管理：用户可选的内部ECC。在页面编程操作期间，内部生成ECC奇偶校验。当页面读取到缓存寄存器时，检测ECC奇偶校验并在必要时纠正错误。即使内部ECC启用，64字节的备用区域也可用。设备输出纠正后的数据并返回ECC错误状态。带有内部ECC的内部数据移动或复制回。设备可以轻松刷新和管理垃圾收集任务，无需数据移入移出。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校验属性的块。带有内部ECC的上电读取。设备在上电后自动将第一个块的第一页读取到缓存，然后主机可以直接从缓存读取数据以便轻松启动。此外，当ECC启用时，数据通过内部ECC保证正确。它以页面为基础进行编程和读取，以块为基础进行擦除。数据从NAND闪存阵列逐页传输到数据寄存器和缓存寄存器，或从这些寄存器传输到阵列。缓存寄存器最接近I/O控制电路，充当I/O数据的缓冲区；数据寄存器最接近存储器阵列，充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲区。缓存寄存器作为缓冲区存储器，启用页面和随机数据读取/写入以及复制回操作。这些设备还使用SPI状态寄存器报告设备操作状态。

商品特性

2Gb SLC NAND闪存
页面大小：内部ECC开启（默认）：2048字节+64字节；内部ECC关闭：2048字节+128字节
标准、双线、四线SPI，DTR：标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#；双线SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#；四线SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3；DTR（双倍数据速率）读取：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
高速时钟频率：3.3V时：标准/双线/四线SPI为133MHz，DTR四线SPI为104MHz；1.8V时：标准/双线/四线SPI为104MHz，DTR四线SPI为80MHz
软件/硬件写保护：通过软件写保护全部或部分存储器；使用WP#引脚的寄存器保护；电源锁定保护
单电源电压：1.8V全电压范围：1.7V~2.0V；3.3V全电压范围：2.7V~3.6V
高级安全特性：20K字节OTP区域
编程/擦除/读取速度：页面编程时间典型320us；块擦除时间典型3ms；页面读取时间最大120us
低功耗：最大工作电流30mA；最大待机电流50uA
增强访问性能：2K字节缓存用于快速随机读取
NAND高级特性：工厂好块0；深度掉电（仅1.8V）
可靠性：使用ECC的P/E周期50K；数据保持10年
内部ECC：8位/528字节

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	2Gbit
	接口类型	SPI
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	320us