GD5F2GM7REWIGY

SPI-NAND闪存，2Gb容量，多SPI模式，低功耗，高速时钟频率

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: GigaDevice(兆易创新)
商品型号: GD5F2GM7REWIGY
商品编号: C20278507
商品封装: WSON-8(5x6)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.683克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能
	ECC	有

商品概述

串行外设接口NAND闪存为嵌入式系统提供了一种基于行业标准NAND闪存核心的超高性价比、高密度非易失性存储器存储解决方案。它是串行外设接口NOR闪存和标准并行NAND闪存的一个有吸引力的替代方案，并具备先进特性。总引脚数为8个，包括VCC和GND。容量为2Gb。与串行外设接口NOR闪存相比，具有卓越的写入性能和每比特成本。显著低于并行NAND闪存的成本。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准串行外设接口，并且在不同容量之间始终保持相同的引脚排列。其指令集类似于常见的串行外设接口NOR闪存指令集，经过修改以处理NAND特定的功能并增加了新特性。该串行外设接口NAND闪存易于集成，具有专门设计的特性以简化主机管理：用户可选择的内部错误校正码。在页面编程操作期间，内部生成错误校正码校验位。当页面被读取到缓存寄存器时，会检测错误校正码校验位并在必要时纠正错误。即使启用了内部错误校正码，64字节的备用区域仍然可用。该器件输出纠正后的数据并返回错误校正码错误状态。具有内部错误校正码的内部数据移动或复制回功能。该器件可以轻松刷新并管理垃圾回收任务，无需将数据移入移出。此指令序列只能用于具有相同奇偶校验属性的块。带内部错误校正码的上电读取功能。上电后，器件会自动将第一个块的第一页读取到缓存中，然后主机可以直接从缓存中读取数据以便于启动。此外，当启用错误校正码时，数据通过内部错误校正码保证正确。它以基于页面的操作进行编程和读取，并以基于块的操作进行擦除。数据以页为单位传输到NAND闪存存储阵列或从其中传输出来，传输到数据寄存器和缓存寄存器。缓存寄存器最靠近输入/输出控制电路，充当输入/输出数据的缓冲区；数据寄存器最靠近存储阵列，充当NAND闪存存储阵列操作的数据缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页面和随机数据读取/写入以及复制回操作。这些器件还使用一个串行外设接口状态寄存器来报告器件操作的状态。

商品特性

2Gb 单层单元 NAND 闪存
页面大小：内部错误校正码开启时：2048字节+64字节；内部错误校正码关闭时：2048字节+128字节
支持标准、双线、四线串行外设接口及双倍传输速率
高速时钟频率：3.3V时，标准/双线/四线串行外设接口为133MHz，双倍传输速率四线串行外设接口为104MHz；1.8V时，标准/双线/四线串行外设接口为104MHz，双倍传输速率四线串行外设接口为80MHz
软件/硬件写保护：通过软件写保护全部或部分存储器；通过写保护引脚进行寄存器保护；电源锁定保护
单电源电压：1.8V全电压范围：1.7V ~ 2.0V；3.3V全电压范围：2.7V ~ 3.6V
高级安全特性：20千字节一次性可编程区域
编程/擦除/读取速度：页面编程时间典型值320微秒；块擦除时间典型值3毫秒；页面读取时间最大值120微秒
低功耗：最大工作电流30毫安；最大待机电流50微安
增强的访问性能：2千字节缓存用于快速随机读取
NAND 高级特性：出厂良品块0；深度掉电
可靠性：带错误校正码的编程/擦除循环次数：50千次；数据保持时间：10年
内部错误校正码：每528字节8位

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	-
	接口类型	-
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	-
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-