GD5F2GM7UEWIGY
SPI-NAND闪存
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD5F2GM7UEWIGY
- 商品编号
- C20278509
- 商品封装
- WSON-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.683克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 320us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 5万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能 |
商品概述
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存核心，为嵌入式系统提供了一种超经济高效且高密度的非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的有吸引力的替代方案，具有先进的特性。总引脚数为8个，包括VCC和GND，密度为2Gb。与SPI-NOR相比，具有卓越的写入性能和每比特成本优势，比并行NAND成本显著降低。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，从一种密度到另一种密度始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新特性。兆易创新的SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存，具有特定设计的特性以简化主机管理：用户可选择内部ECC；具有内部数据移动或回写功能并带有内部ECC；上电读取带有内部ECC。它以页为单位进行编程和读取，以块为单位进行擦除。数据逐页在NAND闪存阵列与数据寄存器和缓存寄存器之间传输。缓存寄存器靠近I/O控制电路，作为I/O数据的缓冲区；数据寄存器靠近存储阵列，作为NAND闪存阵列操作的数据缓冲区。缓存寄存器用作缓冲存储器，以实现页和随机数据的读写及回写操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。
商品特性
- 2Gb SLC NAND闪存
- 页大小：内部ECC开启（ECC_EN = 1，默认）时为2048字节 + 64字节；内部ECC关闭（ECC_EN = 0）时为2048字节 + 128字节
- 支持标准、双、四SPI和DTR：标准SPI为SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#；双SPI为SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#；四SPI为SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3；DTR（双倍传输速率）读取为SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
- 高速时钟频率：3.3V时，标准/双/四SPI为133MHz，DTR四SPI为104MHz；1.8V时，标准/双/四SPI为104MHz，DTR四SPI为80MHz
- 软件/硬件写保护：可通过软件对全部或部分存储器进行写保护；通过WP#引脚进行寄存器保护；具备电源锁定保护
- 单电源电压：1.8V的全电压范围为1.7V ~ 2.0V；3.3V的全电压范围为2.7V ~ 3.6V
- 高级安全特性：20K字节OTP区域
- 编程/擦除/读取速度：页编程时间典型值为320us；块擦除时间典型值为3ms；页读取时间最大值为120us
- 低功耗：最大工作电流为30mA；最大待机电流为50uA
- 增强的访问性能：2K字节缓存用于快速随机读取
- NAND高级特性：工厂良块0；深度掉电（仅1.8V）
- 可靠性：带ECC的P/E循环次数为50K；数据保留时间为10年
- 内部ECC：每528字节8位