PBSS5230T-QR
PBSS5230T-QR
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBSS5230T-QR
- 商品编号
- C20235732
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。 NPN互补型号：PBSS4230T
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力：IC和ICM
- 效率更高，发热更少
- 通过AEC - Q101认证，推荐用于汽车应用
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 电源线开关
- 电池充电器
- LCD背光
- 低电源电压应用中的驱动器（如灯具和LED）
- 电感负载驱动器（如继电器、蜂鸣器和电机）