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GAN3R2-100CBEAZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- GAN3R2 - 100CBE 是一款通用型 100 V、3.2 mΩ 的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用 15 凸点晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN3R2-100CBEAZ
- 商品编号
- C20235672
- 商品封装
- WLCSP-8(3.5x2.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 394W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 460pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ |