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INA819IDR实物图
  • INA819IDR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

INA819IDR

失调电压、nV/√Hz噪声、低功耗、精密仪表放大器

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描述
INA819 具有 ±60V 过压保护功能(增益引脚 2、3)的低功耗 (350μA)、精密仪表放大器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
INA819IDR
商品编号
C2060451
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录精密运放
放大器数单路
增益带宽积(GBP)2MHz
输入偏置电流(Ib)500pA
输入失调电压(Vos)6uV
共模抑制比(CMRR)110dB
压摆率(SR)9.9V/us
输出电流20mA
属性参数值
输入失调电压温漂(Vos TC)350nV/℃
静态电流(Iq)385uA
工作温度-40℃~+125℃
单电源4.5V~36V
双电源(Vee ~ Vcc)-18V~-2.25V;2.25V~18V
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
噪声密度(eN)8nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)2nA

商品概述

INA819 是一款高精度仪表放大器,可提供低功耗并且可在极宽的单电源或双电源电压范围内工作。可通过单个外部电阻器在 1 到 10,000 范围内设置任意增益。由于采用超 β 输入晶体管(这些晶体管可提供极低的输入失调电压、失调电压漂移、输入偏置电流、输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达 ±60V 的过压保护。

INA819 经过优化,可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时,整个输入共模范围内的共模抑制比超过 90 dB。根据设计,此器件在低电压下运行,由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。

INA819 采用 8 引脚 SOIC、VSSOP 和 WSON 封装,并且额定工作温度范围为 – 40°C 至 +125°C。

商品特性

  • 低失调电压:10 μV(典型值),35 μV(最大值)
  • 增益漂移:5 ppm/°C (G = 1)、35 ppm/°C (G > 1)(最大值)
  • 噪声:8 nV/√Hz
  • 带宽:2 MHz [G = 1]、270 kHz <G = 100>
  • 在 1 nF 容性负载下保持稳定
  • 输入保护电压高达 ±60V
  • 共模抑制:110 dB,G = 10(最小值)
  • 电源抑制:110 dB,G = 1(最小值)
  • 电源电流:385 μA(最大值)
  • 电源电压范围:
    • 单电源:4.5V 至 36V
    • 双电源:±2.25V 至 ±18V
  • 额定温度范围:– 40°C 至 +125°C
  • 封装:8 引脚 SOIC、VSSOP、WSON

应用领域

  • 模拟输入模块
  • 流量发送器
  • 电池测试
  • LCD 测试
  • 心电图 (ECG)
  • 外科手术设备
  • 过程分析(pH、气体、浓度、力和湿度)

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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