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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 16V | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 100kHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.1mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 6.5uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 40V/ms | |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电流(Ios) | 1pA | |
| 噪声密度(eN) | 68nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 65dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 10uA | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 单电源 | 3V~16V |
商品概述
这些器件是低成本、低功耗双运算放大器，设计用于单电源或双电源工作。这些运算放大器采用ST硅栅CMOS工艺，具有出色的功耗-速度比。该系列非常适合低功耗应用。提供三种功耗，可始终获得最佳的功耗-速度比：K ICC = 10µA/amp.：TS27L2（超低功耗） K ICC = 150µA/amp.：TS27M2（低功耗） K ICC = 1mA/amp.：TS272（标准）。这些CMOS放大器提供非常高的输入阻抗和极低的输入电流。与JFET器件的主要优势在于输入电流随温度漂移非常小。
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