- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RA1C030LDT5CL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 7V |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率小封装。
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。
- 无卤。
- 静电放电(ESD)保护高达 200V(机器模型,MM)。
- 静电放电(ESD)保护高达 2kV(人体模型,HBM)。
- 晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)
应用领域
- 开关电路
- 单节电池应用
- 移动设备应用
- JTPQ00RE-12-98SB(004LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(005LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(009LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(011LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(014LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(021LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(023LC)
- JTPQ00RE-12-98SB(LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(001LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(003)(LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(004LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(005LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(009LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(011LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(014LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(021LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(023LC)
- JTPQ00RE-12-98SC(LC)
- JTPQ00RE-12-98SD(001LC)
- JTPQ00RE-12-98SD(003)(LC)
- JTPQ00RE-12-98SD(004LC)