商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 447A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.45kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
单P沟道MOSFET
商品特性
-低浪涌、低开关损耗。-可实现高速开关。-降低温度依赖性。
应用领域
-电机驱动-逆变器、转换器-光伏、风力发电-感应加热设备
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 447A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.45kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
单P沟道MOSFET
-低浪涌、低开关损耗。-可实现高速开关。-降低温度依赖性。
-电机驱动-逆变器、转换器-光伏、风力发电-感应加热设备