商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 567A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.78kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V@291.2mA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 2 A时，RDS(ON) < 102 mΩ
- 当VGS = 4.5 V、ID = 1 A时，RDS(ON) < 126 mΩ
- 采用高密单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 坚固耐用的结构设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 电池供电系统