R6009RND3TL1
R6009RND3TL1
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6009RND3TL1
- 商品编号
- C20109031
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 665mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 7V@1.38mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
内置栅极电阻的双N沟道MOSFET 用于锂离子二次电池保护电路
商品特性
- 低源极-源极导通电阻：Rss(on) 典型值 = 36 mΩ（VGS = 4.5 V）
- CSP（芯片尺寸封装）
- 符合RoHS标准（欧盟RoHS / MSL：符合1级标准）