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LTC7063RMSE#PBF
LTC7063RMSE#PBF
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- 描述
- 驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC7063RMSE#PBF
- 商品编号
- C20047755
- 商品封装
- MSOP-12-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.193333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 工作电压 | 6V~14V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 18ns | |
| 下降时间(tf) | 13ns | |
| 特性 | 欠压保护；过热保护；过压保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 400uA |
商品概述
LTC7063 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。 其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET。其他特性包括欠压锁定（UVLO）、三态 PWM 输入、可调节的导通/关断延迟和直通保护。
商品特性
- 独特的对称浮动栅极驱动器架构
- 高抗噪性，可承受输入和输出地之间 ±101 的接地电位差
- 最大输入电压 140V，与 IC 电源电压 VCC 无关
- VCC 工作电压范围为 6V 至 14V
- 栅极驱动器电压范围为 4V 至 14V
- 0.8Ω 下拉、1.5Ω 上拉，实现快速导通/关断
- 自适应直通保护
- 可编程死区时间
- 带使能引脚的三态 PWM 输入
- VCC 欠压/过压锁定（UVLO/OVLO）和浮动电源欠压锁定
- 驱动双 N 沟道 MOSFET
- 漏极开路故障指示器
- 采用散热增强型 12 引脚 MSOP 封装
- 通过 AEC-Q100 汽车应用认证
应用领域
- 汽车和工业电源系统
- 电信电源系统
- 半桥和全桥转换器