ADRF5050BCCZN

ADRF5050是一款采用绝缘体上硅（SOI）工艺制造的无反射单刀四掷（SP4T）开关。ADRF5050的工作频率范围为100 MHz至20 GHz，插入损耗小于1.20 dB，隔离度高于47 dB。该器件直通路径的射频输入功率处理能力为33 dBm。 ADRF5050采用+3.3 V和 -3.3 V双电源电压供电。该器件也可在负电源引脚（VSS）接地的情况下，采用单正电源电压（VDD）供电。单电源工作条件下功耗更低，同时能保持出色的小信号性能。 ADRF5050采用与互补金属氧化物半导体（CMOS）和低压晶体管 - 晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制方式。该器件分别具有使能控制和逻辑选择控制，可实现全关状态和端口镜像功能。 ADRF5050与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容。 ADRF5050采用24引脚、3 mm×3 mm、符合RoHS标准的焊盘网格阵列（LGA）封装，工作温度范围为 -40℃至 +105℃。

• 超宽带频率范围：100 MHz至20 GHz
• 无反射50 Ω设计
• 低插入损耗：典型值在6 GHz时为0.9 dB；在12 GHz时为1.00 dB；在20 GHz时为1.20 dB
• 高隔离度：RFx与RFx之间，典型值在6 GHz时为54 dB；在12 GHz时为50 dB；在20 GHz时为47 dB
• 高输入线性度：P0.1dB典型值为34 dBm；IP3典型值为55 dBm
• 高射频功率处理能力：直通路径：在20 GHz以下可达33 dBm；端接路径：在20 GHz以下可达18 dBm
• 开关导通和关断时间：55 ns
• 0.1 dB建立时间（VCTRL从50%到RFOUT最终值的0.1 dB）：80 ns
• 全关状态控制
• 逻辑选择控制
• 降额功率处理的单电源工作模式
• 无低频杂散
• 24引脚、3 mm×3 mm焊盘网格阵列（LGA）封装
• 与ADRF5042和ADRF5043引脚兼容

• 测试仪器
• 微波无线电和甚小口径终端（VSAT）