NTLTS3107PR2G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 675pF |
商品特性
- 低RDS(on),延长电池使用寿命
- 采用表面贴装Micro8无引脚封装,提升热性能
- 低外形(<1.0 mm),非常适合便携式设计
- 低开启电压
- 这是一款无铅器件
应用领域
-针对负载管理应用进行优化-电池供电系统中的充电控制-手机、数码相机、笔记本电脑、便携式游戏机等