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NTLTD7900ZR2

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTLTD7900ZR2
商品编号: C20047223
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh M9技术，适用于每单位面积导通电阻RDS(on)极低的中/高压MOSFET。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。在所有基于硅的快速开关超结功率MOSFET中，该产品具有较低的导通电阻和较小的栅极电荷值，特别适用于对功率密度和效率要求极高的应用。

商品特性

在基于硅的器件中，具备全球最佳的品质因数RDS(on)*Qg
更高的VDSS额定值
更高的dv/dt能力
借助额外的驱动源引脚，实现出色的开关性能
易于驱动
经过100%雪崩测试

应用领域

高效开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	31mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	1.5W
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	18nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	15pF
	反向传输电容(Crss)	10pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	400pF