NTLTD7900ZR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这款先进的功率MOSFET集成了单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电(ESD)和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该器件专为对功率效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 提供无铅封装
- 齐纳保护栅极可提供静电放电保护
- 设计可承受4000V人体模型静电放电
- 超低导通电阻RDS(on)可提高效率并延长电池续航
- 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
- Micro8无引脚表面贴装封装 - 节省电路板空间
- 规定了高温下的IDSS
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- NTMFD1D6N03P8
- NTMFS4C805NT1G
- NTMFS4C905NAT3G
- NTMFS4C906NBT1G
- NTMFS4C908NAT3G
- NTMFS4C910NAT3G
- NTMFS4C910NBT1G
- NTMFS4C922NAT3G
- NVMJD012N04CLTWG
- NVMJD015N04CLTWG
- NVMJD2D7N04CLTWG
- NVMJD3D0N04CTWG
- NVMJD4D7N04CLTWG
- NVMJD5D4N04CTWG
- NXH400N100L4Q2F2SG
- PCFF75H60F
- PCISL9R1560W
- SBRS8190NT3G-IR02
- SCT221RQR2G
- SG5841SZ
- SMBZ1477-1LT1G