NTD60N02R-001
NTD60N02R-001
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD60N02R-001
- 商品编号
- C20047221
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
AO4486将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 平面 HD3e 工艺,实现快速开关性能
- 低 RDS(on),最小化传导损耗
- 低 Ciss,最小化驱动器损耗
- 低栅极电荷
- 针对高效 DC-DC 转换器的高端开关要求进行优化
- 提供无铅封装
应用领域
- 升压转换器
- 用于消费、电信、工业电源和LED背光的同步整流器