- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MCU18N20A-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 894pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤。“绿色”器件
- 散热性能良好的出色封装
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 潮湿敏感度等级3
- 无铅涂层/符合RoHS标准