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SI0205-TP
采用先进沟槽单元设计、具备2KV ESD保护的N沟道MOSFET表面贴装封装器件
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI0205-TP
- 商品编号
- C19992059
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 先进的沟槽单元设计
- ESD防护高达2KV(HBM)
- 表面贴装封装
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤素,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)