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SI2312HE3-TP
N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI2312HE3-TP
- 商品编号
- C19992064
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 668pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 采用高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(ON)
- 电压控制小信号开关
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤素，“绿色”器件 (1)
- 湿度敏感度等级为 1 级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准，详见订购信息）