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SI2301AHE3-TP实物图
  • SI2301AHE3-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI2301AHE3-TP

P沟道MOSFET

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描述
特性:高密电池设计,极低的导通电阻RDS(ON)。 通过AEC-Q101认证。 坚固可靠。 高速开关。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无卤,“绿色”器件。 无铅涂层,符合RoHS标准
品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
SI2301AHE3-TP
商品编号
C19992063
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.045433克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.4A
导通电阻(RDS(on))42mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.41nC@10V
输入电容(Ciss)438pF
反向传输电容(Crss)62pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)76pF

商品特性

  • 用于超低导通电阻RDS(on)的高密度单元设计
  • 具备完整雪崩电压和电流特性
  • 高单脉冲雪崩能量下稳定性和一致性良好
  • 湿度敏感度等级1级
  • 无卤“绿色”器件
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)

数据手册PDF