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MCU15N10B-TP
MCU15N10B-TP
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCU15N10B-TP
- 商品编号
- C19988029
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
EPC Space FSMD-B系列增强型氮化镓（eGaN）功率开关高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而使导通电阻RDS(on)极低。芯片的横向结构实现了极低的栅极电荷（QG）和极快的开关时间。这些特性能够提高电源开关频率，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的封装。
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 湿度敏感度等级3级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)
应用领域
-卫星和电子设备-深空探测器-高速抗辐射DC-DC转换-抗辐射电机控制器