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MCQ14P02-TP实物图
  • MCQ14P02-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCQ14P02-TP

MCQ14P02-TP

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
MCC(美微科)
商品型号
MCQ14P02-TP
商品编号
C19988018
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
输入电容(Ciss)4.224nF
反向传输电容(Crss)506pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)562pF

商品概述

EPC Space抗辐射加固氮化镓(eGaN)功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT)专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数,从而使导通电阻(RDS(on))极低。芯片的横向结构使其栅极电荷(QG)极低,开关时间极快。这些特性能够实现更快的电源开关频率,从而提高功率密度、效率,并实现更紧凑的封装。

商品特性

  • 出色的散热封装
  • 采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
  • 潮湿敏感度等级3级
  • 无卤“绿色”器件
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)

应用领域

  • 商业卫星电源系统(EPS)与电子设备
  • 深空探测器
  • 高速抗辐射加固DC-DC转换
  • 抗辐射加固电机控制器
  • 核设施

数据手册PDF