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MCQ14P02-TP
MCQ14P02-TP
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ14P02-TP
- 商品编号
- C19988018
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.224nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 506pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 562pF |
商品概述
EPC Space抗辐射加固氮化镓（eGaN）功率开关高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而使导通电阻（RDS(on)）极低。芯片的横向结构使其栅极电荷（QG）极低，开关时间极快。这些特性能够实现更快的电源开关频率，从而提高功率密度、效率，并实现更紧凑的封装。
商品特性
- 超低QG，实现高效率
- 逻辑电平
- 重量轻 - 仅0.058克
- 无引线键合，可靠性更高，电感更低
- 总剂量
- 额定耐受剂量达1000 krad
- 单粒子效应
- 在漏源电压（VDS）高达额定击穿电压的100%时，对线性能量转移（LET）为85 MeV/(mg/cm²)的单粒子效应免疫
- 低剂量率100 mRad/秒 - 保持辐照前的规格
- 中子
- 在中子注量高达3×10¹⁵ 中子/cm²时，保持辐照前的规格
应用领域
- 商业卫星电源系统（EPS）与电子设备
- 深空探测器
- 高速抗辐射加固DC-DC转换
- 抗辐射加固电机控制器
- 核设施