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MCQ4559A-TP
MCQ4559A-TP
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCQ4559A-TP
- 商品编号
- C19988020
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.992nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 272pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
EPC Space FSMD - 一系列氮化镓（eGaN）功率开关高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高可靠性或商用卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数，从而实现了极低的导通电阻（RDS(on)）值。芯片的横向结构使得栅极电荷（QG）极低，开关时间极快。这些特性能够实现更快的电源开关频率，从而提高功率密度、效率，并实现更紧凑的封装。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷（QG），实现高效率
- 逻辑电平
- 重量轻 - 0.068克
- 新型紧凑密封封装
- 抗辐射剂量达300 krad
- 在漏源电压（VDS）高达额定击穿电压的100%时，对线性能量转移（LET）为83.7 MeV/mg/cm²的单粒子效应（SEE）具有免疫力
- 低剂量率为100 mRad/秒
- 保持辐照前的规格
- 在高达1×10¹⁵个中子/cm²的辐照下，保持辐照前的规格
应用领域
- 卫星和电子设备-深空探测器-高速抗辐射DC-DC转换-抗辐射电机控制器