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MCACD20N10Y-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.202nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 632pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 低热阻
- 湿度敏感度等级 1
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V - 0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（“P”后缀表示符合 RoHS 标准）