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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
DGD0597FUQ是一款高频、高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V的栅极驱动。 DGD0597FUQ的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU接口。欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护IC和MOSFET。 快速且匹配良好的传播延迟允许实现更高的开关频率，从而能够使用更小的相关元件，实现更小巧紧凑的功率开关设计。DGD0597FUQ采用V-QFN3030-8封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 40V浮动高端驱动器
- 低VCC工作电压：4.5V至5.5V
- 以半桥配置驱动两个N沟道逻辑电平MOSFET
- 1.5A源电流/2.5A灌电流输出能力
- 内置自举二极管
- 3.4V欠压锁定（UVLO），滞回电压为0.4V
- 快速的上升和下降时间（7ns/5ns）
- 典型传播延迟为14ns
- 典型延迟匹配为2.5ns
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 无线充电器
- 电机驱动逻辑电平MOSFET栅极驱动器