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TSM038N03PQ33实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM038N03PQ33

TSM038N03PQ33

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商品型号
TSM038N03PQ33
商品编号
C19856021
商品封装
PDFN-8(3.1x3.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)78A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)39W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
  • 根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电池电源管理
  • 或门场效应管/负载开关

数据手册PDF